证券之星消息，根据天眼查APP数据显示老板电器（002508）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种风阀控制方法、风阀控制装置、电子设备和存储介质”，专利申请号为CN202310485186.3，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本发明公开了一种风阀控制方法、风阀控制装置、电子设备和存储介质。风阀控制方法包括：确定油烟机的工作状态，工作状态包括开启状态和关闭状态；在油烟机由关闭状态调节至开...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中国石化（600028）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种复合催化剂床层及其应用”，专利申请号为CN202311398683.6，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本发明公开了一种复合催化剂床层及其应用，尤其在重质芳烃增产轻质C6～C8芳烃中的应用。所述复合催化剂床层包括多层装填有催化剂的床层，所述催化剂各自独立地包括硅铝分子筛、金属组分和任选的粘...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东航物流（601156）新获得一项发明专利授权，专利名为“安检信息监管方法、装置和系统”，专利申请号为CN202211080346.8，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本申请提供一种安检信息监管方法、装置和系统。其中，所述安检信息监管方法包括：获取至少一个航站的货物安检数据，所述货物安检数据包括货物数据、货运证明数据及安检图像数据；对所述货运安检数据...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中国石化（600028）新获得一项发明专利授权，专利名为“提高二氧化碳在稠油中溶解度的组合物及制备方法和应用”，专利申请号为CN202311533226.3，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本发明涉及原油开采技术领域，具体涉及一种提高二氧化碳在稠油中溶解度的组合物及制备方法和应用。所述组合物包括式(I)所示的含硅的胺化合物和式(II)所示的聚醚化合物...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示运达股份（300772）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种风电机组运行控制方法、装置、设备及存储介质”，专利申请号为CN202310514994.8，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本申请公开了一种风电机组运行控制方法、装置、设备及存储介质，涉及风力发电技术领域，包括：获取所有风电机组相应的历史风速数据以及历史风向数据，并确定目标风电机组的关联风...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中研股份（688716）新获得一项发明专利授权，专利名为“聚醚酮酮制备方法及用途”，专利申请号为CN202511835884.7，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本申请公开了聚醚酮酮制备方法、聚醚酮酮及用途。该方法包括：（1）将原料在第一温度下混合，所述原料包括酰氯、溶剂、路易斯碱、二苯醚以及路易斯酸，保温后升至第二温度下进行第一反应阶段；（2）升温...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示八亿时空（688181）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种负性液晶组合物及其应用”，专利申请号为CN202510488936.1，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本发明提供了一种负性液晶组合物及其应用，属于液晶材料技术领域。所述负性液晶组合物包括至少一种通式I所代表的化合物、至少一种通式II所代表的化合物和至少一种通式III所代表的化合物。本发明...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宁德时代（300750）新获得一项发明专利授权，专利名为“隔离膜、其制备方法及其相关的二次电池和用电装置”，专利申请号为CN202411272975.X，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本申请提供一种隔离膜、其制备方法及其相关的二次电池和用电装置，所述隔离膜包括多孔基材和设置在所述多孔基材的至少一个表面上的涂层，所述涂层包括纤维状物和填料，沿所述隔离...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中国石化（600028）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种用于脱除芳烃原料中烯烃的催化剂及其制备方法和应用”，专利申请号为CN202311472883.1，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：本发明公开了一种用于脱除芳烃原料中烯烃的催化剂及其制备方法和应用。所述催化剂包括无机氧化物与氢型离子交换树脂复合物，其中，以无机氧化物与氢型离子交换树脂复合物的...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法”，专利申请号为CN202311115223.8，授权日为2026年5月29日。图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
专利摘要：一种三层并联的增强型GaN?HFET及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明的技术方案是：制备三层向上叠加的异质结结构，利用每一层结构下层高阻氮化镓层和上层氮化硅保...